部分材料性质
      
    半导体与绝缘体 

     

    Si

    GaAs

    Ge

    αSiC

    SiO2

    Si3N4

    密度(g/cm3)

    2.33

    5.32

    5.32

    3.21

    2.2

    3.1

    击穿场强(MV/cm)

    0.3

    0.5

    0.1

    2.3

    10

    10

    介电常数

    11.7

    12.9

    16.2

    6.52

    3.9

    7.5

    禁带宽度(eV)

    1.12

    1.42

    0.66

    2.86

    9

    5

    电子亲和能(eV)

    4.05

    4.07

    4

     

    0.9

     

    折射率

    3.42

    3.3

    3.98

    2.55

    1.46

    2.05

    熔点()

    1412

    1240

    937

    2830

    ~1700

    ~1900

    比热容(J/(g•))

    0.7

    0.35

    0.31

     

    1

     

    热导率(W/(cm•))

    1.31

    0.46

    0.6

     

    0.014

     

    热扩散系数(cm2/s)

    0.9

    0.44

    0.36

     

    0.006

     

    热膨胀系数(*10-6)

    2.6

    6.86

    2.2

    2.9

    0.5

    2.7


    金属

     

    Al

    Cu

    Au

    TiSi2

    PtSi

    密度(g/cm3)

    2.7

    8.89

    19.3

    4.043

    12.394

    电阻率(μΩ•cm

    2.82

    1.72

    2.44

    14

    30

    温度系统

    0.0039

    0.0039

    0.0034

    4.63

     

    n-si的热量(eV

    0.55

    0.60

    0.75

    0.60

    0.85

    热导率(W/(cm•))

    2.37

    3.98

    3.15